2020-04-20
內(nèi)存的技術(shù)指標(biāo)一般包括奇偶校驗(yàn)、引腳數(shù)、容量、速度等。引腳數(shù)可以歸為內(nèi)存的接口類型，這里不再論述。
奇偶校驗(yàn)
奇/偶校驗(yàn)（ECC）是數(shù)據(jù)傳送時(shí)采用的一種校正數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的一種方式，分為奇校驗(yàn)和偶校驗(yàn)兩種。
如果是采用奇校驗(yàn)，在傳送每一個(gè)字節(jié)的時(shí)候另外附加一位作為校驗(yàn)位，當(dāng)原來數(shù)據(jù)序列中“1”的個(gè)數(shù)為奇數(shù)時(shí)，這個(gè)校驗(yàn)位就是“0”，否則這個(gè)校驗(yàn)位就是“1”，這樣就可以保證傳送數(shù)據(jù)滿足奇校驗(yàn)的要求。在接收方收到數(shù)據(jù)時(shí)，將按照奇校驗(yàn)的要求檢測(cè)數(shù)據(jù)中“1”的個(gè)數(shù)，如果是奇數(shù)，表示傳送正確，否則表示傳送錯(cuò)誤。
同理偶校驗(yàn)的過程和奇校驗(yàn)的過程一樣，只是檢測(cè)數(shù)據(jù)中“1”的個(gè)數(shù)為偶數(shù)。
內(nèi)存容量
內(nèi)存容量同硬盤、軟盤等存儲(chǔ)器容量單位都是相同的，它們的基本單位都是字節(jié)（B），并且：
內(nèi)存
內(nèi)存
1024B=1KB=1024字節(jié)=2^10字節(jié)（^代表次方）
1024KB=1MB=1048576字節(jié)=2^20字節(jié)
1024MB=1GB=1073741824字節(jié)=2^30字節(jié)
1024GB=1TB=1099511627776字節(jié)=2^40字節(jié)
1024TB=1PB=1125899906842624字節(jié)=2^50字節(jié)
1024PB=1EB=115 292150 4606846976字節(jié)=2^60字節(jié)
1024EB=1ZB=1180591620717411303424字節(jié)=2^70字節(jié)
1024ZB=1YB=1208925819614629174706176字節(jié)=2^80字節(jié)
內(nèi)存條是否能以完整的存儲(chǔ)體(Bank)為單位安裝將決定內(nèi)存能否正常工作，這與計(jì)算機(jī)的數(shù)據(jù)總線位數(shù)是相關(guān)的，不同機(jī)型的計(jì)算機(jī)，其數(shù)據(jù)總線的位數(shù)也是不同的。內(nèi)存條通常有8MB， 16MB， 32MB， 64MB， 128MB，256MB等容量級(jí)別，從這個(gè)級(jí)別可以看出，內(nèi)存條的容量都是翻倍增加的，也就是若內(nèi)存條容量為512MB，則意味著再往下發(fā)展就將為1024MB了。
目前，4GB，8GB內(nèi)存已成為了主流配置。SDRAM內(nèi)存條有雙面和單面兩種設(shè)計(jì)，每一面采用8顆或者9顆(多出的一顆為ECC驗(yàn)) SDRAM芯片。 [
存取時(shí)間
存取時(shí)間是內(nèi)存的另一個(gè)重要指標(biāo)，其單位為納秒(ns)，常見的SDRAM有6ns，7ns， 8ns， 10ns等幾種，相應(yīng)在內(nèi)存條上標(biāo)為-6，-7，-8，-10等字樣。這個(gè)數(shù)值越小，存取速度越快，但價(jià)格也越高。在選配內(nèi)存時(shí)，應(yīng)盡量挑選與CPU的時(shí)鐘周期相匹配的內(nèi)存條，這將有利于最大限度地發(fā)揮內(nèi)存條的效率。
內(nèi)存慢而主板快，會(huì)影響CPU的速度，還有可能導(dǎo)致系統(tǒng)崩潰；內(nèi)存快而主板慢，結(jié)果只能是大材小用造成資源浪費(fèi)。當(dāng)內(nèi)存的存取時(shí)間是10ns時(shí)，它的時(shí)鐘頻率最高可達(dá)100MHz，也就是說可以配合100MHz外頻的主板使用；當(dāng)存取時(shí)間是7ns時(shí)，時(shí)鐘頻率最高可達(dá)142MHz，這時(shí)主板的外頻可以上到133MHz以上。
不過目前市場(chǎng)上印有“-8"、“-7"甚至“-6"的內(nèi)存條，不少都達(dá)不到它所標(biāo)稱的指標(biāo)。
CL延遲
CL反應(yīng)時(shí)間是衡定內(nèi)存的另一個(gè)標(biāo)志。CL是CAS Latency的縮寫，指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間，簡(jiǎn)單的說，就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小，代表反應(yīng)所需的時(shí)間越短。在早期的PC133內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中，這個(gè)數(shù)值規(guī)定為3，而在Intel重新制訂的新規(guī)范中，強(qiáng)制要求CL的反應(yīng)時(shí)間必須為2，這樣在一定程度上，對(duì)于內(nèi)存廠商的芯片及PCB的組裝工藝要求相對(duì)較高，同時(shí)也保證了更優(yōu)秀的品質(zhì)。因
內(nèi)存
內(nèi)存
此在選購品牌內(nèi)存時(shí)，這是一個(gè)不可不察的因素。
還有另的詮釋：內(nèi)存延遲基本上可以解釋成是系統(tǒng)進(jìn)入數(shù)據(jù)進(jìn)行存取操作就序狀態(tài)前等待內(nèi)存響應(yīng)的時(shí)間。打個(gè)形象的比喻，就像你在餐館里用餐的過程一樣。你首先要點(diǎn)菜，然后就等待服務(wù)員給你上菜。同樣的道理，內(nèi)存延遲時(shí)間設(shè)置的越短，電腦從內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)的速度也就越快，進(jìn)而電腦其他的性能也就越高。這條規(guī)則雙雙適用于基于英特爾以及AMD處理器的系統(tǒng)中。由于沒有比2-2-2-5更低的延遲，因此國際內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)組織認(rèn)為以現(xiàn)在的動(dòng)態(tài)內(nèi)存技術(shù)還無法實(shí)現(xiàn)0或者1的延遲。 [7]
通常情況下，我們用4個(gè)連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來表示一個(gè)內(nèi)存延遲，例如2-2-2-5。其中，第一個(gè)數(shù)字最為重要，它表示的是CAS Latency，也就是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間。第二個(gè)數(shù)字表示的是RAS-CAS延遲，接下來的兩個(gè)數(shù)字分別表示的是RAS預(yù)充電時(shí)間和Act-to-Precharge延遲。而第四個(gè)數(shù)字一般而言是它們中間最大的一個(gè)。
頻率
內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習(xí)慣上被用來表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz（兆赫）為單位來計(jì)量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。
存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內(nèi)存頻率是800MHz的DDR2內(nèi)存，以及一些內(nèi)存頻率更高的DDR3內(nèi)存。
大家知道，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的時(shí)鐘速度是以頻率來衡量的。晶體振蕩器控制著時(shí)鐘速度，在石英晶片上加上電壓，其就以正弦波的形式震動(dòng)起來，這一震動(dòng)可以通過晶片的形變和大小記錄下來。晶體的震動(dòng)以正弦調(diào)和變化的電流的形式表現(xiàn)出來，這一變化的電流就是時(shí)鐘信號(hào)。而內(nèi)存本身并不具備晶體振蕩器，因此內(nèi)存工作時(shí)的時(shí)鐘信號(hào)是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時(shí)鐘發(fā)生器提供的，也就是說內(nèi)存無法決定自身的工作頻率，其實(shí)際工作頻率是由主板來決定的。
DDR內(nèi)存和DDR2內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內(nèi)存顆粒實(shí)際的工作頻率，但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍；而DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以四倍于工作頻率的速度讀/寫數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是400/533/667/800MHz。
帶寬
從功能上理解，我們可以將內(nèi)存看作是內(nèi)存控制器（一般位于北橋芯片中）與CPU之間的橋梁或與倉庫。顯然，內(nèi)存的容量決定“倉庫”的大小，而內(nèi)存的帶寬決定“橋梁”的寬窄，兩者缺一不可，這也就是我們常常說道的“內(nèi)存容量”與“內(nèi)存速度”。除了內(nèi)存容量與內(nèi)存速度，延時(shí)周期也是決定其性能的關(guān)鍵。當(dāng)CPU需要內(nèi)存中的數(shù)據(jù)時(shí)，它會(huì)發(fā)出一個(gè)由內(nèi)存控制器所執(zhí)行的要求，內(nèi)存控制器接著將要求發(fā)送至內(nèi)存，并在接收數(shù)據(jù)時(shí)向CPU報(bào)告整個(gè)周期（從CPU到內(nèi)存控制器，內(nèi)存再回到CPU）所需的時(shí)間。
毫無疑問，縮短整個(gè)周期也是提高內(nèi)存速度的關(guān)鍵，這就好比在橋梁上工作的警察，其指揮疏通能力也是決定通暢度的因素之一。更快速的內(nèi)存技術(shù)對(duì)整體性能表現(xiàn)有重大的貢獻(xiàn)，但是提高內(nèi)存帶寬只是解決方案的一部分，數(shù)據(jù)在CPU以及內(nèi)存間傳送所花的時(shí)間通常比處理器執(zhí)行功能所花的時(shí)間更長，為此緩沖區(qū)被廣泛應(yīng)用。其實(shí)，所謂的緩沖器就是CPU中的一級(jí)緩存與二級(jí)緩存，它們是內(nèi)存這座“大橋梁”與CPU之間的“小橋梁”。事實(shí)上，一級(jí)緩存與二級(jí)緩存采用的是SRAM，我們也可以將其寬泛地理解為“內(nèi)存帶寬”，不過現(xiàn)在似乎更多地被解釋為“前端總線”，所以我們也只是簡(jiǎn)單的提一下。事先預(yù)告一下，“前端總線”與“內(nèi)存帶寬”之間有著密切的聯(lián)系，我們將會(huì)在后面的測(cè)試中有更加深刻的認(rèn)識(shí)。
帶寬重要性
基本上當(dāng)CPU接收到指令后，它會(huì)最先向CPU中的一級(jí)緩存（L1Cache）去尋找相關(guān)的數(shù)據(jù)，雖然一級(jí)緩存是與CPU同頻運(yùn)行的，但是由于容量較小，所以不可能每次都命中。這時(shí)CPU會(huì)繼續(xù)向下一級(jí)的二級(jí)緩存（L2Cache）尋找，同樣的道理，當(dāng)所需要的數(shù)據(jù)在二級(jí)緩存中也沒有的話，會(huì)繼續(xù)轉(zhuǎn)向L3Cache（如果有的話，如K6-2+和K6-3）、內(nèi)存和硬盤。
由于目前系統(tǒng)處理的數(shù)據(jù)量都是相當(dāng)巨大的，因此幾乎每一步操作都得經(jīng)過內(nèi)存，這也是整個(gè)系統(tǒng)中工作最為頻繁的部件。如此一來，內(nèi)存的性能就在一定程度上決定了這個(gè)系統(tǒng)的表現(xiàn)，這點(diǎn)在多媒體設(shè)計(jì)軟件和3D游戲中表現(xiàn)得更為明顯。3D顯卡的內(nèi)存帶寬（或許稱為顯存帶寬更為合適）的重要性也是不言而喻的，甚至其作用比系統(tǒng)的內(nèi)存帶寬更為明顯。大家知道，顯示卡在進(jìn)行像素渲染時(shí)，都需要從顯存的不同緩沖區(qū)中讀寫數(shù)據(jù)。這些緩沖區(qū)中有的放置描述像素ARGB（阿爾法通道，紅，綠，藍(lán)）元素的顏色數(shù)據(jù)，有的放置像素Z值（用來描述像素的深度或者說可見性的數(shù)據(jù)）。顯然，一旦產(chǎn)生Z軸數(shù)據(jù)，顯存的負(fù)擔(dān)會(huì)立即陡然提升，在加上各種材質(zhì)貼圖、深度復(fù)雜性渲染、3D特效。
提高內(nèi)存帶寬
內(nèi)存帶寬的計(jì)算方法并不復(fù)雜，大家可以遵循如下的計(jì)算公式：帶寬=總線寬度×總線頻率×一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)交換的數(shù)據(jù)包個(gè)數(shù)。很明顯，在這些乘數(shù)因子中，每個(gè)都會(huì)對(duì)最終的內(nèi)存帶寬產(chǎn)生極大的影響。然而，如今在頻率上已經(jīng)沒有太大文章可作，畢竟這受到制作工藝的限制，不可能在短時(shí)間內(nèi)成倍提高。而總線寬度和數(shù)據(jù)包個(gè)數(shù)就大不相同了，簡(jiǎn)單的改變會(huì)令內(nèi)存帶寬突飛猛進(jìn)。DDR技術(shù)就使我們感受到提高數(shù)據(jù)包個(gè)數(shù)的好處，它令內(nèi)存帶寬瘋狂地提升一倍。當(dāng)然，提高數(shù)據(jù)包個(gè)數(shù)的方法不僅僅局限于在內(nèi)存上做文章，通過多個(gè)內(nèi)存控制器并行工作同樣可以起到效果，這也就是如今熱門的雙通道DDR芯片組（如nForce2、I875/865等）。
事實(shí)上，雙通道DDR內(nèi)存控制器并不能算是新發(fā)明，因?yàn)樵缭赗AMBUS時(shí)代，RDRAM就已經(jīng)使用了類似技術(shù)，只不過當(dāng)時(shí)RDRAM的總線寬度只有16Bit，無法與DDR的64Bit相提并論。內(nèi)存技術(shù)發(fā)展到如今這一階段，四通道內(nèi)存控制器的出現(xiàn)也只是時(shí)間問題，VIA的QBM技術(shù)以及SiS支持四通道RDRAM的芯片組，這些都是未來的發(fā)展方向。至于顯卡方面，我們對(duì)其顯存帶寬更加敏感，這甚至也是很多廠商用來區(qū)分高低端產(chǎn)品的重要方面。同樣是使用DDR顯存的產(chǎn)品，128Bit寬度的產(chǎn)品會(huì)表現(xiàn)出遠(yuǎn)遠(yuǎn)勝過64Bit寬度的產(chǎn)品。當(dāng)然提高顯存頻率也是一種解決方案，不過其效果并不明顯，而且會(huì)大幅度提高成本。值得注意的是，目前部分高端顯卡甚至動(dòng)用了DDRII技術(shù)，不過至少在目前看來，這項(xiàng)技術(shù)還為時(shí)過早。
識(shí)別內(nèi)存帶寬
對(duì)于內(nèi)存而言，辨別內(nèi)存帶寬是一件相當(dāng)簡(jiǎn)單的事情，因?yàn)镾DRAM、DDR、RDRAM這三種內(nèi)存在外觀上有著很大的差別，大家通過下面這副圖就能清楚地認(rèn)識(shí)到。唯一需要我們?nèi)ケ嬲J(rèn)的便是不同頻率的DDR內(nèi)存。目前主流DDR內(nèi)存分為DDR266、DDR333以及DDR400，其中后三位數(shù)字代表工作頻率。
通過內(nèi)存條上的標(biāo)識(shí)，自然可以很方便地識(shí)別出其規(guī)格。相對(duì)而言，顯卡上顯存帶寬的識(shí)別就要困難一些。在這里，我們應(yīng)該抓住“顯存位寬”和“顯存頻率”兩個(gè)重要的技術(shù)指標(biāo)。顯存位寬的計(jì)算方法是：?jiǎn)螇K顯存顆粒位寬×顯存顆?？倲?shù)，而顯存頻率則是由"1000/顯存顆粒納秒數(shù)"來決定。一般來說，我們可以從顯存顆粒上一串編號(hào)的最后2兩位看出其納秒數(shù)，從中也就得知其顯存頻率。至于單塊顯存顆粒位寬，我們只能在網(wǎng)上查詢。HY、三星、EtronTech（鈺創(chuàng)）等都提供專用的顯存編號(hào)查詢網(wǎng)站，相當(dāng)方便。如三星的顯存就可以到如下的地址下載，只要輸入相應(yīng)的顯存顆粒編號(hào)即可。此外，使用RivaTuner也可以檢測(cè)顯卡上顯存的總位寬，大家打開RivaTuner在MAIN菜單即可看到。
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